Wafer Bonder 관련링크 이전글 목록 본문 용도 Sapphire Wafer, Si-Al wafer 본딩(4,6 인치) 제원 1 적용제품: 4, 6인치 / 히팅 플레이트 평탄도 : 5um / 비전 얼라이너 spec : ±50um 2 재질 : SUS304 3 온도 : Max 400℃(온도 유니폼 : 300℃ 유지시 ±3℃ 이내/13포인트 측정) 4 압력 : 사용압력 1.2 ton / Max 5 ton 5 제어 : PC 제어(메인PC, 얼라이너PC, PM1/2 PC, PM 3/4 PC) 6 진공도 : Max 3x10^-2 Torr 구성 No 구성 수량 1 진공 챔버 4 SET 2 WTR 3 4 이전글 목록
