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진공/챔버 본딩설비
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Wafer Bonder

본문

용도
Sapphire Wafer, Si-Al wafer 본딩(4,6 인치)
제원
1 적용제품: 4, 6인치 / 히팅 플레이트 평탄도 : 5um / 비전 얼라이너 spec : ±50um
2 재질 : SUS304
3 온도 : Max 400℃(온도 유니폼 : 300℃ 유지시 ±3℃ 이내/13포인트 측정)
4 압력 : 사용압력 1.2 ton / Max 5 ton
5 제어 : PC 제어(메인PC, 얼라이너PC, PM1/2 PC, PM 3/4 PC)
6 진공도 : Max 3x10^-2 Torr
구성
No 구성 수량
1 진공 챔버 4 SET
2 WTR 1
3 비전 얼라이너 1
4 쿨링 스테이지, 컨트롤 박스 각 1
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